作者：憲瑞

　　上周末國內最大的晶圓代工廠中芯國際發表了 Q2 季度財報，當季營收 7.91 億美元，環比增長 18.2%，同比減少 11.2%；毛利為 1.51 億美元，環比增長 23.8%，同比減少 30.6%；公司擁有人應占利潤為 1853.9 萬美元，環比增長 51.1%，同比減少 64.1%。

　　在全球半導體市場進入熊市周期，而且中芯國際缺乏先進工藝的情況下，Q2 季度取得環比大幅增長已屬不易，而中芯國際未來最重要的任務除了改善盈利之外就是突破先進半導體制造工藝，目前已量產的 28nm 工藝相比臺積電、三星要落伍三四代了，而且代工成本上也沒優勢。

　　在先進工藝上，中芯國際的策略就是 28nm 工藝不會再擴產了，但是會從 28nm Bulk 工藝升級到更有優勢的 28nm HKC+ 工藝，主要用于 API、IoT、機頂盒、IPTV 等產品中。

　　下一個重要節點是 14nm 及改進型工藝 12nm，中芯國際表示 14nm 已經進入客戶風險量產階段，目前流片數量 10 多個，今年秋季會正式量產，年底貢獻有意義的營收，不過大規模量產還要到 2021 年。

　　14nm 之后還有改進型的 12nm FinFET 工藝，根據中芯國際之前介紹，該工藝相比 14nm 晶體管尺寸進一步縮微，功耗降低 20%、性能提升 10%，錯誤率降低 20%。

　　目前 12nm 工藝已經進入了客戶導入階段，進展順利，預計年底會有多個芯片流片驗證。

　　14/12nm 工藝是中芯國際第一代 FinFET 工藝，第一階段中其產能會從 3K 晶圓/月逐步提升到 6K、9K、15K/月，超過 15K/月之后產能就不少了。

　　14/12nm 工藝會是國內最先進的工藝，但是與臺積電三星相比依然要落后至少兩代，中芯國際還會有N+1 第二代 FinFET 工藝追趕先進水平。雖然中芯國際一直沒有確認第二代 FinFET 工藝會是 10nm 還是直接進入 7nm，但從之前訂購 ASML 的 EUV 光刻機來看，中芯國際應該會跳過 10nm 節點，畢竟 10nm 節點本來也是低功耗方向的，而 7nm 節點才是長期存在的高性能低功耗節點，意義更加重大。

　　N+1 FinFET 節點會是中芯國際的第二階段，預計 2020 年底會有試驗產能，不僅是有N+1，還會有更先進一代的N+2 節點。

　　總之，如果進展順利的話，那么 2020 年底國內可能會有 7nm 工藝風險試產，這時候依然是追趕臺積電三星的水平，但差距會縮短到一代左右。

　　實際上，在擁有了 14nm、7nm 生產能力之后，國內的芯片公司就能大幅減少被卡脖子的可能了，特別是國產的龍芯、兆芯之類的處理器，這個時間節點就在 2020 年底了。

總結

以上是生活随笔為你收集整理的中芯国际14nm秋季量产 7nm工艺或在2020年底问世的全部內容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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