芯科技消息（文/西卡），2020 年三星電子副會長李在镕已經開始其第 1 個行程，除檢查去年底停電產線外，也參訪了全球第 1 個 3 納米級半導體開發現場。

　　三星電子解決去年底（31 日）芯片廠停電風波后，持續開發新技術以確保業界地位。據韓媒報導，李在镕 2 日參訪三星電子華城廠區中的半導體研究所，聽取三星電子 3 納米制程技術報告，并與半導體（DS）部門主管們討論新一代半導體策略。

　　三星電子 3 納米制程將克服半導體微細化極限，通過 GAA（Gate-All-Around，多閘極晶體管），能使 3 納米芯片的面積比 5 納米芯片小 35％，耗電量減半外，處理速度還能提高 30％ 以上。

　　事實上，李在镕新年第 1 個活動不僅訪問發生停電事故的地方，檢查 DRAM、NAND 閃存開發現場，李在镕也再次向職員展現發展系統半導體的野心。

　　去年 4 月，李在镕發表的《半導體展望 2030》計劃中，定下 10 年內成為全球半導體綜合冠軍的目標，這段時間里，三星電子將在系統半導體領域中投入 133 萬億韓元，加強移動處理器、人工智能芯片、車用半導體等新一代系統半導體設計，并培養代工事業競爭力。

　　李在镕表示，過去的業績無法保證未來的成功，歷史也不是靠等待而來，而是需要創造出來，也得果斷屏棄壞習慣、舊思維，開拓新的未來。（校對/小山）

總結

以上是生活随笔為你收集整理的展露发展系统半导体的野心！李在镕参访三星3纳米级开发现场的全部內容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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