據韓國媒體 businesskorea 最新消息，三星電子已經開始大規模生產基于極紫外(EUV)技術的 6 納米芯片。自該公司開始大規模生產 7 納米產品以來，僅 8 個月就推出了 6 納米產品。三星升級微加工工藝技術的周期正在縮短。特別是，向 6 納米 EUV 工藝的過渡，預計將縮小三星與全球最大芯片制造商臺灣臺積電(TSMC)之間的差距。

　　去年 12 月，三星電子(Samsung Electronics)在京畿道華城校區 S3 線開始批量生產基于 EUV 技術的 6 納米產品。“據我所知，6 納米制程的產品是提供給北美的大型企業客戶的” 三星合作公司的一位官員表示。行業觀察人士認為，三星的 6 納米產品應該是供應給高通公司。

　　此前，三星電子在去年 4 月向全球客戶提供了 7 納米產品。僅用了 8 個月就生產出了 6 納米的產品。與 7 納米產品相比，6 納米產品提供了更好的半導體邏輯尺寸、功率和性能。

　　三星電子(Samsung Electronics)開始大規模生產6-nm 制程產品，對臺積電構成了壓力。全球市場研究公司 TrendForce 表示，去年第四季度，臺積電占全球代工市場的 52.7%，與三星電子(Samsung Electronics) 17.8% 的市場份額差距進一步擴大。

　　三星未能趕超臺積電的主要原因是三星在 16 納米和 12 納米工藝之后開發 7 納米工藝的時間較晚。臺積電通過其 7 納米技術，壟斷了蘋果（最大的無晶圓廠客戶）的 AP 供應。

　　相比之下，三星電子(Samsung Electronics)在 2014 年首次商業化了 14 納米鰭場效應晶體管(FinFET)工藝，但在 7 納米工藝開發方面輸給了臺積電(TSMC)。目前，7 納米產品只占三星銷售額的一小部分。為了解決這個問題，星正在加緊努力以縮短 7nm 以下微加工工藝的開發周期。

　　繼大量生產 6 納米產品之后，三星電子計劃在今年上半年推出 5 納米產品。此外，三星電子有在今年上半年采用正在研發中的最新 3 納米全柵極（GAA）工藝技術來制造尖端芯片的計劃。GAA 被認為是當前 FinFET 技術的升級版，能確保芯片制造商進一步縮小芯片體積。

總結

以上是生活随笔為你收集整理的领先台积电，三星已开始批量生产6纳米芯片，可能是为高通代工的全部內容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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