美光起诉联电窃密案宣判:联电被罚 1 亿元新台币,三名员工被判刑
IT之家 6 月 14 日消息 美光控告中國臺灣晶圓代工巨頭聯電幫中國晉華竊取 DRAM 制程案,12 日臺中地院做出判決,聯電 3 名主管最高遭判刑 6 年半,聯電也被判罰 1 億元。
臺媒《科技新報》報道,臺中法院 6 月 12 日就全球前 4 大晶圓代工廠之一的臺灣聯電被控,協助中國福建晉華以竊取美商科技大廠美光(Micron)動態隨機存取記憶體(DRAM)生產技術一案作出判決,涉案的戎樂天、何建廷、王永銘等 3 人被處以 4 年半到 6 年半的徒刑。
曾經任職臺灣美光總經理與聯電副總的中國福建晉華總經理陳正坤,檢方以另案進行調查,而聯電被處以新臺幣 1 億元的罰款。
IT之家了解到,案件起源于 2016 年,當時聯電與中國福建晉華集成電路公司簽署技術合作協定,協助中國福建晉華開發 32 納米 DRAM 相關制程技術。之后,中國臺灣美光的 3 名高階主管隨即轉任聯電,引發商業間諜案疑云,最終導致美光、聯電與中國福建晉華之間在美國、中國臺灣以及中國大陸 3 地的司法控訴。
目前,除了臺灣方面已起訴相關人等,美光同樣于美國提告,并在 2018 年 11 月 1 日正式起訴中國福建晉華、聯電以及陳正坤、何建廷、王永銘共謀竊取、傳輸,以及持有美光的營業秘密和經濟間諜罪。一旦相關罪名成立,包括陳正坤等被起訴人將面臨經濟間諜罪最重 15 年徒刑以及 500 萬美元罰款。另外,此案還涉及竊取營業秘密罪,涉案人面臨最重 10 年的徒刑。
值得注意的是,聯電和中國福建晉華一旦在美國被控罪名成立,可能面臨最高 200 億美元的罰款。
聯電對此表示,并未違反營業秘密法,將依法對有罪判決及高額罰金提起上訴。
總結
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