說起內(nèi)存參數(shù)，大家肯定多知道容量、頻率，甚至是電壓、顆粒來源等，但和頻率一樣決定了內(nèi)存性能高低的時序(也常說延遲)，卻往往容易被忽視。

今天，影馳就內(nèi)存時序做了一個簡單的科普，一起來了解下。

內(nèi)存頻率是一個數(shù)字，而內(nèi)存時序則是一大串數(shù)字，最常用的就有4個，表述的時候中間用破折號隔開，例如16-18-18-38。

當然了，這個處理時間越短，內(nèi)存性能越好。

內(nèi)存時序4個數(shù)字對應(yīng)的參數(shù)分別為CL、tRCD、tRP、tRAS，單位都是時間周期，也就是一個沒有單位的純數(shù)字。

看完感覺更懵圈了？沒關(guān)系，給你舉個例子。

我們可以把內(nèi)存存儲數(shù)據(jù)的地方想象成下面這樣，每個方格都存儲著不同的數(shù)據(jù)。CPU需要什么數(shù)據(jù)，就向內(nèi)存發(fā)來相應(yīng)的指令，比如想要的位置是C4。

由于每一行都有多個數(shù)據(jù)，內(nèi)存并不能哪一個才是CPU需要找的，所以tRCD只是一個估值，這也就是為什么小幅改動這個數(shù)值，并不會顯著改變內(nèi)存的性能。

行列必然產(chǎn)生交點，也就是說確定了行數(shù)和列數(shù)之后，就能準確找到目標數(shù)據(jù)，所以CL是一個準確的值，任何改動都會影響目標數(shù)據(jù)的位置，所以它在時序當中是最關(guān)鍵的一個參數(shù)，對內(nèi)存性能的發(fā)揮著舉足輕重的作用。

所以，在保障穩(wěn)定性的前提下，內(nèi)存時序越低越好，而高頻率和低時序是個矛盾體，一般頻率上去了，時序就得有所犧牲，要想足夠低的時序，頻率又很難拔高。

那么，時序?qū)?nèi)存性能的影響到底有多大呢？

我們做了一個測試，保持內(nèi)存頻率不變，可以看到，內(nèi)存的性能隨著時序的變小而不斷變強。

另外，時序改變后，內(nèi)存延遲的變化比內(nèi)存讀寫速度的變化更加明顯，這也說明時序?qū)?nèi)存的影響，更側(cè)重在延遲方面。

現(xiàn)在，你懂了嗎？

優(yōu)惠商品信息>>
聯(lián)想LP1 無線藍牙耳機 券后59元
南極人充電式聲波電動牙刷 券后價7.9元
決明子枸杞菊花茶 卷后價9.9元
聯(lián)想32g class10 高速內(nèi)存儲卡 券后價 16.9元
夏季薄款空調(diào)被 券后價29.9元
云雀超輕網(wǎng)面透氣跑鞋 券后79元

總結(jié)

以上是生活随笔為你收集整理的内存时序是什么？对性能影响有多大？终于懂了的全部內(nèi)容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

如果覺得生活随笔網(wǎng)站內(nèi)容還不錯，歡迎將生活随笔推薦給好友。