今天IBM正式推出了Power 10系列處理器，，Power 10可謂科技滿滿，PCIe 5.0、DDR5都齊了，單芯片15核心120線程。

這一代最大的變化當屬制程工藝，從之前Power 9的GF 14nm SOI工藝升級到了三星7nm EUV工藝，而且核心面積高達602mm2，意味著這是一顆大核心芯片。

對三星來說，雖然2018年官方就高調宣布了7nm EUV工藝量產，比臺積電進度還靠前，但實際上三星的7nm EUV一直不夠成熟，良率多次傳出問題。

在7nm工藝上，臺積電為NVIDIA代工的安培GA100核心面積高達826mm2，集成了540億晶體管，可以說是7nm高性能芯片之最了。

現在三星制造的Power 10處理器面積也達到了602mm2，晶體管數量180億，規模上依然不能跟GA100相比。

不過我們要考慮到，CPU與GPU工藝是不同的，后者總體較為簡單，對規模更容易，而CPU要復雜的多，Power 10的晶體管只有GA100的1/3。

即便如此，三星7nm EUV工藝能夠制造出600mm以上的大芯片，說明三星的7nm EUV在高性能方面也成熟了，這對三星搶占臺積電的份額大有裨益。

總結

以上是生活随笔為你收集整理的三星7nm EUV成熟了 Power 10核心面积高达602mm2：仅次于安培的全部內容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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