【手機中國新聞】臺積電在2nm半導體制造節點方面取得重大研究突破，有望在2023年中期進入2nm工藝試生產階段，并在一年后開始批量生產。目前，臺積電的最新制造工藝是5nm工藝，已用于生產A14仿生芯片。

　　據介紹，臺積電的2nm工藝將采用差分晶體管設計。該設計被稱為多橋溝道場效應(MBCFET)晶體管，它是對先前FinFET設計的補充。值得注意的是，這也是臺積電第一次將MBCFET設計用于其晶體管。臺積電一位高管對外表示，“我們樂觀預計2023年下半年風險試產收益率將達到90%，這將有助于我們未來繼續贏得蘋果、匯達等主要廠商的大訂單”。同時，他還提到，量產將于2024年開始。

　　臺積電去年成立了2nm項目研發團隊，尋找可行的發展路徑?？紤]到成本、設備兼容性、技術成熟度和性能等條件，2nm采用了基于環繞門（GAA）工藝的MBCFET。該結構解決了FinFET工藝收縮引起的電流控制泄漏的物理限制。

總結

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