1γ节点开始导入 美光确认EUV工艺DRAM内存芯片2024年量产
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1γ节点开始导入 美光确认EUV工艺DRAM内存芯片2024年量产
小編覺(jué)得挺不錯(cuò)的,現(xiàn)在分享給大家,幫大家做個(gè)參考.
CPU、GPU為代表的邏輯工藝制程進(jìn)入7nm之后,EUV光刻工藝是少不了的,現(xiàn)在內(nèi)存還停留在10nm工藝級(jí)別,暫時(shí)沒(méi)用到EUV工藝。不過(guò)三星、SK海力士及美光也確定未來(lái)會(huì)用,其中美光的EUV工藝內(nèi)存在2024年量產(chǎn)。
美光CEO Sanjay Mehrotra日前在采訪中確認(rèn),美光已將EUV技術(shù)納入DRAM技術(shù)藍(lán)圖,將由10nm世代中的1γ(gamma)工藝節(jié)點(diǎn)開(kāi)始導(dǎo)入。
美光EUV工藝DRAM將會(huì)先在臺(tái)中A3廠生產(chǎn),預(yù)計(jì)2024年進(jìn)入量產(chǎn)階段。
注意,這個(gè)是1γ工藝,不是之前的1y工藝,10nm級(jí)別的內(nèi)存工藝中前三代是1x、1y、1z,再往后是1a、1β、1γ等。
在美光之前,三星及SK海力士都更早進(jìn)入了EUV節(jié)點(diǎn),從去年底就開(kāi)始部署EUV光刻工藝了,而且比美光更激進(jìn),最快在1a工藝節(jié)點(diǎn)就會(huì)量產(chǎn)EUV內(nèi)存芯片。
總結(jié)
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