CVD-ALD前驅(qū)體材料
ALD前驅(qū)體源瓶特點(diǎn)是什么

ALD前驅(qū)體源瓶（起泡器）用于固態(tài)、液態(tài)及氣態(tài)超純物料類的封裝，涉及微正壓、常壓、中低壓的危險(xiǎn)化學(xué)品，對(duì)源瓶的安全性和潔凈度提出嚴(yán)苛的要求。
ALD前驅(qū)體源瓶特點(diǎn)：
所有管件采用316L不銹鋼，內(nèi)部經(jīng)400目機(jī)械拋光和電化學(xué)拋光，Ra≦0.25微米；
閥門有美國(guó)世偉洛克球閥和隔膜閥、日本富士金隔膜閥和韓國(guó)TK隔膜閥供選擇；
密封墊片選用純銀鍍鎳墊片；
氦質(zhì)譜檢測(cè)泄漏率≦1.0*10-10mbar L/s；
可盛裝化學(xué)品純度≧99.9995;
總殘余元素量≦50PPb；
墜落試驗(yàn)，通過(guò)國(guó)家商檢部門檢測(cè)；
介質(zhì)，TMG\TEG\TMA\TMIN\DEE等；
可選擇氣動(dòng)閥門或者實(shí)現(xiàn)在注入端子、輸出端子以及接口之間的交叉清掃處理等；
可提供非標(biāo)定做。
集成電路上游材料廠商 大力布局國(guó)內(nèi)市場(chǎng)

  總投資10億美元的日本Ferrotec大尺寸半導(dǎo)體硅片項(xiàng)目，打破了國(guó)內(nèi)大尺寸半導(dǎo)體硅片完全依靠進(jìn)口的局面；與此同時(shí)，國(guó)際著名集成電路上有氣體材料供應(yīng)商應(yīng)特格(Entegris)新項(xiàng)目。國(guó)際集成電路上游材料廠商正在大力布局國(guó)內(nèi)市場(chǎng)。

在集成電路半導(dǎo)體領(lǐng)域，上游材料的壟斷程度比下游高端集成電路產(chǎn)品的壟斷度還要高，國(guó)內(nèi)集成電路高端材料全部依賴進(jìn)口。據(jù)悉，Ferrotec項(xiàng)目，成功填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)大硅片生產(chǎn)領(lǐng)域的空白，打破了美國(guó)、日本對(duì)同類型硅片生產(chǎn)核心技術(shù)的進(jìn)口壟斷，達(dá)產(chǎn)后將達(dá)到8英寸年產(chǎn)540萬(wàn)片、12英寸年產(chǎn)288萬(wàn)片硅片的生產(chǎn)能力。
　　對(duì)于應(yīng)特格來(lái)說(shuō)，計(jì)劃成為第一家在中國(guó)生產(chǎn)高純度沉積產(chǎn)品TEOS (硅酸四乙酯)的跨國(guó)企業(yè)，該合作合作有利于Entegris在中國(guó)擴(kuò)大產(chǎn)能，同時(shí)也縮短了中國(guó)市場(chǎng)的沉積材料供應(yīng)鏈。這些高純度沉積產(chǎn)品包括TEOS，這種材料對(duì)于半導(dǎo)體制造領(lǐng)域采用的3D NAND技術(shù)至關(guān)重要，該技術(shù)用于生產(chǎn)速度更快的先進(jìn)儲(chǔ)存設(shè)備與內(nèi)存，對(duì)于支持中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的全面發(fā)展也具有重要意義。
　　高純度集成電路氣體產(chǎn)品，并且首期產(chǎn)品目前已經(jīng)到達(dá)相關(guān)用戶手中。
　　針對(duì)國(guó)際半導(dǎo)體材料廠商近一段時(shí)間以來(lái)不斷進(jìn)入國(guó)內(nèi)布廠，業(yè)內(nèi)專家指出，一方面是由于國(guó)內(nèi)市場(chǎng)的崛起，崛起的速度也讓這些壟斷性廠商不得不重視中國(guó)市場(chǎng)；另一方面，需要清醒的是，技術(shù)壟斷在短期內(nèi)仍然打不破，國(guó)內(nèi)仍要發(fā)奮圖強(qiáng)，力求自有技術(shù)的實(shí)現(xiàn)。
ALD工藝二元、三元單層薄膜前驅(qū)體
目前在ALD沉積工藝中，為了能得到二元或三元薄膜，往往通過(guò)將不同前驅(qū)體交替通入反應(yīng)腔體，比如沉積Hf-Al-O薄膜，則通過(guò)交替通入TEMAH-H2O-TMA-H2O-TEMAH…，并形成疊層薄膜。科研人員通過(guò)不斷摸索，配制出了不同系列的新型前驅(qū)體，可用于沉積二元或三元單層薄膜,而非二元疊層。二元或三元單層薄膜的獲取，在催化應(yīng)用領(lǐng)域，可通過(guò)提高或抑制效應(yīng)，實(shí)現(xiàn)催化活性。在集成電路應(yīng)用領(lǐng)域，可通過(guò)調(diào)節(jié)介電常數(shù)等，而實(shí)現(xiàn)預(yù)想的電學(xué)性能。
在原子層沉積（ALD）工藝中，選擇合適的前驅(qū)體對(duì)工藝控制、薄膜性能等方面至關(guān)重要。同時(shí)根據(jù)前驅(qū)體特性，如性狀、揮發(fā)性等，配以合適的源瓶則會(huì)對(duì)工藝有協(xié)同效應(yīng)。除在前驅(qū)體研制方面充分發(fā)揮技術(shù)優(yōu)勢(shì)外，還在ALD源瓶的設(shè)計(jì)和加工方面積累的豐富經(jīng)驗(yàn)。找ALD源瓶，優(yōu)選“愛(ài)牟源科學(xué)”…
ALD前驅(qū)體工藝控制

前驅(qū)體材料是原子層沉積工藝的基礎(chǔ)，目前用于原子層沉積的前驅(qū)體包括無(wú)機(jī)類和金屬有機(jī)類二種，無(wú)機(jī)類在沉積速率、穩(wěn)定性、膜質(zhì)量等方面存在一些問(wèn)題，應(yīng)用會(huì)逐漸減少。金屬有機(jī)類特別是液態(tài)金屬有機(jī)物是開(kāi)發(fā)的重點(diǎn)。前驅(qū)體生產(chǎn)過(guò)程的控制，對(duì)產(chǎn)品的質(zhì)量穩(wěn)定性提供了保證，產(chǎn)品研制過(guò)程控制如下（分別是制備、純化、分析）：

? 鹵代類

? 其它或最新類

? 環(huán)戊二烯（茂基）類

? 烷基類

? 胺基類

? 脒基類

? 烷氧基類

? 二酮酸類

? 鹵代類

? 其他或最新類

總結(jié)

以上是生活随笔為你收集整理的CVD-ALD前驱体材料的全部?jī)?nèi)容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問(wèn)題。

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