ALD技术产品形态
ALD技術(shù)產(chǎn)品形態(tài)
原子層沉積研究設(shè)備
TFS 200是適合科學(xué)研究和企業(yè)研發(fā)的最靈活的ALD平臺(tái)。倍耐克 TFS 200專門設(shè)計(jì)用于多用戶研究環(huán)境中把可能發(fā)生的交叉污染降至最低。 大量的可用選項(xiàng)和升級意味著倍耐克TFS 200將與一起成長,以滿足最高要求的研究需求。
倍耐克TFS 200不僅可以在平面物體上鍍膜,而且還適用于粉末,顆粒,疏松多孔的基體材料,或是有較高深寬比的復(fù)雜的三維物體。 直接和遠(yuǎn)程等離子體沉積(PEALD)可以作為TFS 200的標(biāo)準(zhǔn)選項(xiàng)。 離子體是工業(yè)化標(biāo)準(zhǔn)的電容性耦合等離子體(CCP)。 CCP等離子體選件可為直徑達(dá)200mm,面朝上或面朝下的襯底提供直接和遠(yuǎn)程等離子體沉積ALD(PEALD)。
選件和與升級頁面上找到有關(guān)Beneq TFS 200可用選項(xiàng)的更多信息.
適用于工業(yè)生產(chǎn)的薄膜系統(tǒng)
倍耐克P400A和P800是專為工業(yè)規(guī)模生產(chǎn)設(shè)計(jì)的原子層沉積系統(tǒng)。 它們是從研發(fā)階段到大規(guī)模的工業(yè)化生產(chǎn)的理想工具。該系統(tǒng)具有技術(shù)可靠性以及工業(yè)應(yīng)用成熟性。 該設(shè)計(jì)主要基于在嚴(yán)苛工業(yè)應(yīng)用中連續(xù)(24/7)運(yùn)行25年的豐富經(jīng)驗(yàn)。
大多數(shù)工業(yè)客戶需要專門的設(shè)備和工藝流程。
倍耐克擁有多臺(tái)P400A和P800系統(tǒng),以滿足應(yīng)用開發(fā)和薄膜研發(fā)的需求。
由此,那些正在尋找生產(chǎn)設(shè)備的客戶可以在進(jìn)行投資前,驗(yàn)證工藝、設(shè)備的技書性能及相關(guān)成本。
此外,還提供小規(guī)模量產(chǎn)的可能性,直至客戶可以實(shí)現(xiàn)自主生產(chǎn)。
擴(kuò)大到大批量生產(chǎn)和厚膜堆疊生產(chǎn)
與常規(guī)理解不同的是,許多原子層沉積使用的是疊層模塊(>1μm)。 批次生產(chǎn)需要優(yōu)化前軀體源材料的通入量和先進(jìn)的工藝尾氣處理系統(tǒng)。 P400A和P800配備了多重過濾系統(tǒng),能夠處理大量的前軀體。 在工藝期間,前軀體的吸收裝置可保證系統(tǒng)薄膜生長過程中的化學(xué)物質(zhì)及生長的薄膜不進(jìn)入真空泵。
尾氣過濾器體積較大,而且具有高的氣體通過率。 該系統(tǒng)的過濾器處理能力是在研發(fā)模式下的常規(guī)清洗間隔大約為1年,在生產(chǎn)模式下的間隔為3至6個(gè)月。
對于工藝和鍍膜使用設(shè)計(jì),用于納米疊層材料、混合膜和復(fù)雜鍍膜設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)的用戶友好型配方編輯器能夠在同一批次中處理數(shù)百個(gè)不同的鍍層。
性能亮點(diǎn)
研發(fā)階段后立即擴(kuò)大到生產(chǎn)階段。
用于可重復(fù)生產(chǎn)控制的日志記錄。
UPS支持功能。
維護(hù)需求更低。
采用獨(dú)特的迷你尺寸設(shè)計(jì),可滿足批量裝載、基底尺寸、污染控制的靈活性。
采用迷你尺寸和專有的過濾器設(shè)計(jì),可以從P400系統(tǒng)上分離進(jìn)行清洗工作
進(jìn)行清潔時(shí)無需停機(jī)。
具有高性價(jià)比的熱腔和大容量批量系統(tǒng)。
獨(dú)特的熱穩(wěn)定源供應(yīng)系統(tǒng)、嵌入式快速計(jì)量閥和集成的前驅(qū)體通道。
真空泵系統(tǒng)采用專有的大容量前驅(qū)體吸附和過濾系統(tǒng),可實(shí)現(xiàn)大批量加工。
除了正常的加熱回路以外,附加的PLC可以通過專用熱電偶避免過熱,從而提高生產(chǎn)安全性。
基于30年發(fā)展并經(jīng)過業(yè)界證明的生產(chǎn)重復(fù)性和可靠性。
適用于科研和批量生產(chǎn)的薄膜系統(tǒng)
TFS 500設(shè)計(jì)專門用于各種薄膜鍍膜應(yīng)用。作為倍耐克的第一個(gè)反應(yīng)腔模型,它已被證明是一個(gè)多功能工具,用于深入研究薄膜和穩(wěn)定的批量生產(chǎn)。
TFS 500是一種應(yīng)用于多項(xiàng)目環(huán)境的理想工具。 TFS 500可以處理幾種類型的基底:晶圓、平面物體、顆粒和多孔體材料,以及具有高深寬比特征的復(fù)雜三維物體。 它還可以配備手動(dòng)傳送臂用來提高硅片的處理能力。不同類型的反應(yīng)室極易安裝于真空腔內(nèi),同時(shí)針對每個(gè)客戶應(yīng)用優(yōu)化不同的反應(yīng)腔。
TFS 500符合工業(yè)可靠性的嚴(yán)格要求和研發(fā)運(yùn)作靈活性的要求。加工組件均為常備品,可確保備件的可用性。前驅(qū)體料罐可以快速簡單的更換。前驅(qū)體可以是氣態(tài)、液態(tài)和固態(tài)的物質(zhì)。作為標(biāo)準(zhǔn)選項(xiàng), 熱源可以被加熱到500°C。
自2014年以來,倍耐克一直與MBRAUN合作,通過提供完整研發(fā)解決方案來滿足不斷增長的OLED市場需求。
雙方合作的目標(biāo)是將倍耐克的突破性薄膜封裝技術(shù)與MBRAUN手套箱、定制箱體、獨(dú)立單元相結(jié)合。
適用于工業(yè)OLED封裝的薄膜系統(tǒng)
倍耐克WCS 600是用于研發(fā)和試生產(chǎn)的卷對卷原子層沉積系統(tǒng)。 該系統(tǒng)特別適于AMOLED顯示屏、OLED照明、柔性光伏電池、電池和柔性玻璃鍍膜的應(yīng)用。
將高品質(zhì)原子層沉積膜連續(xù)沉積到柔性基底卷上,如聚合物、金屬或紙
敏感基底的加工溫度(<150℃)較低< span="">
具有廣泛的工作壓力范圍,適用于線路集成
系統(tǒng)沉積速度具有高度拓展性,可達(dá)到10米/分鐘
超快速高精度空間ALD鍍膜
Beneq C3R 是高精度空間ALD鍍膜設(shè)備的新成員。
倍耐克C3R將等離子體增強(qiáng)原子層沉積(PE原子層沉積)工藝提升到一個(gè)全新的水平 - 首次將PE原子層沉積應(yīng)用于大批量生產(chǎn)。由于采用了旋轉(zhuǎn)等離子體增強(qiáng)型原子層沉積工藝,倍耐克C3R成為理想的原子層沉積厚膜設(shè)備,其薄膜厚度甚至達(dá)到微米級別。
倍耐克C3R為工業(yè)應(yīng)用中高性能原子層沉積晶圓提供了最佳解決方案,如光學(xué)鍍膜、絕緣體和阻隔層。
在考慮選擇具有速度、低成本、低工藝溫度及最高薄膜質(zhì)量的產(chǎn)品時(shí),倍耐克C3R是理想之選。
技術(shù)亮點(diǎn)
· 適用于微機(jī)電系統(tǒng)、LED、OLED、光伏、大功率半導(dǎo)體、傳感器等的阻隔、絕緣和防腐應(yīng)用
· 適用于高達(dá)200毫米的晶圓和其他圓形或矩形基底
· 可配備標(biāo)準(zhǔn)晶圓自動(dòng)化技術(shù)
如需更多產(chǎn)品信息和技術(shù)支持,請聯(lián)系銷售團(tuán)隊(duì)。
適用于大批量自動(dòng)生產(chǎn)的晶圓設(shè)備
倍耐克C2是晶圓生產(chǎn)設(shè)備系列中的最新設(shè)計(jì)。它提供了高容量批量處理和標(biāo)準(zhǔn)晶圓盒自動(dòng)化的結(jié)合。
倍耐克C2非常適合于各種晶圓應(yīng)用的大批量生產(chǎn),包括微機(jī)電系統(tǒng)、LED、OLED、噴墨打印頭等。
倍耐克C2的熱法批量原子層沉積工藝是用于電介質(zhì)、導(dǎo)體、阻隔層、鈍化層的氧化物和氮化物工藝的理想選擇。
工藝詳情:
· 晶圓直徑達(dá)200mm
· 每小時(shí)最多50片晶圓
· 正面朝下和正面朝上的處理選項(xiàng)
如需更多產(chǎn)品信息和技術(shù)支持,請聯(lián)系銷售團(tuán)隊(duì)。
備件
備件
Beneq以生產(chǎn)高品質(zhì)產(chǎn)品為榮。 Beneq的每個(gè)設(shè)備都是以場上最好的材料和組件制成的。
當(dāng)遇到需要更換部件或想升級組件的情況時(shí),客戶服務(wù)團(tuán)隊(duì)總是樂意為提供選擇,訂購和交付正確備件的幫助。
性能亮點(diǎn)
主要工藝周期時(shí)間低于2秒。
在許多情況下,小于1秒(均勻性變化< ±1%,例如,Al2O3)。
熱源多功能性,高達(dá)500°C的熱源設(shè)置作為標(biāo)準(zhǔn)選項(xiàng)
側(cè)重于應(yīng)用的反應(yīng)腔設(shè)計(jì)
直接和遠(yuǎn)程CCP等離子體原子層沉積作為標(biāo)準(zhǔn)選項(xiàng)
適用于晶圓、多晶圓、三維物體和粉末基底的不同反應(yīng)腔
模塊化設(shè)計(jì)可以方便地更換反應(yīng)腔、前驅(qū)體和管道
適用大表面積基底的高沉積壓力
手動(dòng)傳送裝置可用于基底晶圓的快速更換
保證均勻的基底溫度、防止前軀體冷凝和二次反應(yīng)
用于快速加熱和冷卻的冷壁真空腔
用于原位診斷等的預(yù)留真空接口
潔凈室兼容性
循環(huán)周期小于2秒。在特定的條件下可以小于1秒
高深寬比(HAR)選項(xiàng)適用于較深溝槽和多孔的基底材料
可以快速加熱和冷卻的冷壁真空腔
安裝在真空腔的輔助接口可以實(shí)現(xiàn)等離子體和在線診斷
手動(dòng)傳送臂可以快速更換基底材料,而且可以和其他設(shè)備配合使用
總結(jié)
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