HBM2E Flashbolt–提升人工智能的算力
加速、擴展和確保超級計算和人工智能技術(shù)
超級計算和基于人工智能的技術(shù)的進(jìn)步需要最高口徑的內(nèi)存，以滿足行業(yè)對帶寬、容量和效率的需求。HBM2E Flashbolt 可以提升人工智能的算力，通過擴展的容量處理更多的大數(shù)據(jù)，并提供高帶寬。
高性能計算的驅(qū)動力
憑借在人工智能算法、數(shù)據(jù)科學(xué)、自動駕駛、5G等各行業(yè)引領(lǐng)高端技術(shù)進(jìn)步的經(jīng)驗，三星憑借首個HBM2E解決方案再次確立了其在存儲器行業(yè)的領(lǐng)先地位。

用于最高級任務(wù)的高帶寬
HBM2E Flashbolt 的處理速度為 3.6 Gbps，比上一代 HBM快約 1.5 倍。
HBM2E Flashbolt 不僅如此快速，還通過 TSV 技術(shù)實現(xiàn)高帶寬，幫助快速處理大量數(shù)據(jù)，將 AI 訓(xùn)練效率提高約 6 倍于通常的速度*。
*數(shù)據(jù)基于云服務(wù)中 8 個 GPU 與 72 個 CPU 的比較

處理更多數(shù)據(jù)的容量翻倍
通過堆疊的八層10納米級16GB的DRAM裸片，HBM2E Flashbolt提供上一代HBM容量的約兩倍解決方案。更大的容量允許開發(fā)更深的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)，從而大大提高獲取大數(shù)據(jù)分析結(jié)果的速度。
※ 來自三星數(shù)據(jù)表（可根據(jù)要求提供）

使用更少的功耗獲得更高的性能
與上一代HBM 解決方案相比，HBM2E Flashbolt 的功耗提高了約 18%，power bumps增加了約 1000 個。確保更安全地提供消耗更高算力低功耗。
※ 來自三星數(shù)據(jù)表（可根據(jù)要求提供）

更可靠On Die ECC
通過 On Die ECC 解決方案，提供HBM2E Flashbolt高可靠性和穩(wěn)定性。ODECC能夠自我糾正內(nèi)部錯誤，
以增強損壞數(shù)據(jù)的恢復(fù)能力，并降低刷新頻率。單個bit位誤差也減少了，從而全面提高了數(shù)據(jù)可靠性。

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總結(jié)

以上是生活随笔為你收集整理的HBM2E Flashbolt--提升人工智能的算力的全部內(nèi)容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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