SK 海力士预计今年 HBM 芯片出货量 2030 年可达 1 亿颗
11 月 14 日消息,SK 海力士副會長兼聯席 CEO 樸正浩透露,今年公司高帶寬內存(HBM)出貨量大幅增加,預計到 2030 年將達到每年 1 億顆。
昨日下午,在京畿道光州東谷 CC 舉行的共享增長理事會高爾夫錦標賽結束后,樸正浩在致辭中發表了上述講話。
注:共享增長理事會是 SK hynix 的供應商團體,此次高爾夫球賽由 SK hynix 采購部門組織發起,包括供應商代表在內的 100 多人參加了此次。
樸正浩在此次高爾夫球賽上分享了 HBM 的經營業績和未來前景。他對供應商代表說:“由于設備投資的減少,整體上會比較困難,但我們將一起渡過難關”。他還強調,公司計劃按計劃于 2027 年開始在龍仁集群工廠生產半導體。
在上月底的第三季度財報電話會議上,SK hynix 表示計劃在今年的基礎上增加明年的設施投資。不過,該公司解釋說,由于需求尚未完全恢復,投資擴張的范圍將是有限的,重點將放在 HBM 上。
該公司表示,用于下一代 HBM3E 上 1b 制程 DRAM 的生產和堆疊的硅直通電壓電極(TSV)相關投資被視為重中之重。
市場對于 SK hynix 第四季度恢復盈利持樂觀態度。分析師認為,由于 HBM 等高端內存銷售強勁,扭虧為盈的速度將快于預期。不過,樸正浩也提醒不要對經濟復蘇和投資擴張過于樂觀,他認為“明年美國經濟惡化的可能性很大。”
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總結
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