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8 月 9 日消息，SK 海力士今日宣布，通過 321 層 4D NAND 樣品的發布，正式成為業界首家正在開發 300 層以上 NAND 閃存的公司。

SK 海力士宣布，將進一步完善 321 層 NAND 閃存，并計劃于 2025 年上半期開始量產。

附 SK 海力士 321 層 1Tb TLC NAND 介紹如下：

321 層 1Tb TLC NAND 的效率比上一代 238 層 512Gb 提高了 59%。這是由于數據存儲的單元可以以更多的單片數量堆棧至更高，在相同芯片上實現更大存儲容量，進而增加了單位晶圓上芯片的產出數量。

此外，SK 海力士還推出了針對這些需求而進行優化的下一代 NAND 產品解決方案：采用 PCIe 5 (Gen5) 接口的企業級固態硬盤 (Enterprise SSD, eSSD) 及 UFS 4.0。

SK 海力士還表示，公司在目前積累的產品技術和不斷優化企業內部解決方案的基礎上，正在積極開發下一代 PCI 6.0 和 UFS 5.0 產品，以致力于在未來繼續引領市場。

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總結

以上是生活随笔為你收集整理的SK 海力士展示全球最高层 321 层 NAND 闪存样品，效率提高 59%的全部內容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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