memory分為兩類(lèi)RAM和ROM。RAM根據(jù)讀寫(xiě)端口個(gè)數(shù)又分為三類(lèi)即單端口RAM（SP），偽雙端口RAM（TP）和雙端口RAM（DP）。SP只存在一個(gè)時(shí)鐘和一套讀寫(xiě)端口，讀寫(xiě)復(fù)用地址總線，讀寫(xiě)不能同時(shí)操作。TP存在兩個(gè)時(shí)鐘（讀、寫(xiě)）和一套讀寫(xiě)端口，但是有各自地址總線，讀寫(xiě)可以同時(shí)操作。DP存在兩個(gè)時(shí)鐘和兩套讀寫(xiě)端口，每一套端口都支持讀寫(xiě)操作，這兩套操作互補(bǔ)影響。
一般的memory compiler提供五個(gè)ram腳本（rf_sp,sram_sp,rf_tp,sram_dp,rom）。考慮面積和性能又劃分為High Speed和High Density。

偽雙口ram的工作原理，開(kāi)始的時(shí)候以為有兩個(gè)wea使能信號(hào)，一個(gè)管寫(xiě)入的數(shù)據(jù)和地址，一個(gè)管讀出的數(shù)據(jù)和地址。但是真正仿真后才發(fā)現(xiàn)只有一個(gè)wea控制信號(hào)。在clka與clkb都為高電平的前提下，當(dāng)wea為0時(shí)，ram只進(jìn)行寫(xiě)操作，不讀，當(dāng)wea為1時(shí)，ram同時(shí)進(jìn)行寫(xiě)和讀操作

在很多的時(shí)候，我們需要使用IP設(shè)計(jì)，比如SRAM IP（通常使用memory compiler 生成）得到的是.lib文件而不是.db文件。這時(shí)就需要Synopsys提供的library compiler工具將.lib文轉(zhuǎn)為.db文件，提供給DC綜合工具。library compiler工具的使用主要包含兩步，讀入和寫(xiě)出。

一般memory 大小大于1Kbit時(shí)可以考慮用SRAM代替寄存器組，面積上的話(huà)隨著面積越大對(duì)應(yīng)面積：SP<TD<DP。一般窄長(zhǎng)形和寬矮型的RAM浪費(fèi)的SRAM面積越多，因?yàn)榇笕萘縍AM都是由小的RAM塊單元拼湊而成，不規(guī)則的窄而長(zhǎng)或者寬而矮的RAM，都是由規(guī)則的RAM平湊而成，勢(shì)必導(dǎo)致浪費(fèi)一定的RAM面積來(lái)最終拼湊成需要的RAM size，所以在初期評(píng)估RAM size時(shí)一定要考慮RAM的形狀，以求最大化提高RAM的利用率，盡量不要出現(xiàn)奇葩的RAM size

總結(jié)

以上是生活随笔為你收集整理的Memory Compiler的全部?jī)?nèi)容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問(wèn)題。

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