计算机存储器分类
存儲(chǔ)器概述?
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內(nèi)存分類 :
一、ROM也有很多種:PROM(可編程的ROM)、EPROM(可擦除可編程ROM)、EEPROM
1、PROM是一次性的,早期的產(chǎn)品,現(xiàn)在已經(jīng)不可能使用了;
2、EPROM是通過紫外光的照射擦出原先的程序,是一種通用的存儲(chǔ)器;
3、EEPROM是通過電子擦出,價(jià)格很高,寫入時(shí)間很長(zhǎng),寫入很慢;?
?舉個(gè)例子,手機(jī)軟件一般放在EEPROM中,我們打電話,有些最后撥打的號(hào)碼,暫時(shí)是存在SRAM中的,不是馬上寫入通訊記錄(通話記錄保存在EEPROM中),因?yàn)楫?dāng)時(shí)有很重要工作(通話)要做,如果寫入,漫長(zhǎng)的等待是讓用戶忍無可忍的。
二、RAM有兩大類:靜態(tài)RAM(StaticRAM/SRAM)和動(dòng)態(tài)RAM(Dynamic RAM/DRAM)
1、SRAM
不需要刷新電路,掉電丟失數(shù)據(jù),而且一般不是行列地址復(fù)用的。
集成度比較低,不適合做容量大的內(nèi)存,一般是用在處理器的緩存里面。像S3C2440的ARM9處理器里面就有4K的SRAM用來做CPU啟動(dòng)時(shí)用的;
SRAM內(nèi)部采用的是雙穩(wěn)態(tài)電路的形式來存儲(chǔ)數(shù)據(jù);
制造相同容量的SRAM比DRAM的成本高的多;
因此目前SRAM基本上只用于CPU內(nèi)部的一級(jí)緩存以及內(nèi)置的二級(jí)緩存。僅有少量的網(wǎng)絡(luò)服務(wù)器以及路由器上能夠使用SRAM。
2、DRAM
掉電丟失數(shù)據(jù)。每隔一段時(shí)間就要刷新一次數(shù)據(jù),才能保存數(shù)據(jù)。而且是行列地址復(fù)用的,許多都有頁(yè)模式。
DRAM利用MOS管的柵電容上的電荷來存儲(chǔ)信息,一旦掉電信息會(huì)全部的丟失,由于柵極會(huì)漏電,所以每隔一定的時(shí)間就需要一個(gè)刷新機(jī)構(gòu)給這些柵電容補(bǔ)充電荷,并且每讀出一次數(shù)據(jù)之后也需要補(bǔ)充電荷,這個(gè)就叫動(dòng)態(tài)刷新,所以稱其為動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器。由于它只使用一個(gè)MOS管來存信息,所以集成度可以很高,容量能夠做的很大。
SDRAM比它多了一個(gè)與CPU時(shí)鐘同步。
DRAM保留數(shù)據(jù)的時(shí)間很短,速度也比SRAM慢,不過它還是比任何的ROM都要快;
從價(jià)格上來說DRAM相比SRAM要便宜很多,計(jì)算機(jī)內(nèi)存就是DRAM的;
DRAM分為很多種,常見的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等,這里介紹其中的一種DDR RAM。
一個(gè)DRAM的存儲(chǔ)單元存儲(chǔ)的是0還是1取決于電容是否有電荷,有電荷代表1,無電荷代表0。但時(shí)間一長(zhǎng),代表1的電容會(huì)放電,代表0的電容會(huì)吸收電荷,這就是數(shù)據(jù)丟失的原因;刷新操作定期對(duì)電容進(jìn)行檢查,若電量大于滿電量的1/2,則認(rèn)為其代表1,并把電容充滿電;若電量小于1/2,則認(rèn)為其代表0,并把電容放電,藉此來保持?jǐn)?shù)據(jù)的連續(xù)性。
2.1、DDR RAM(Data-Rate RAM)也稱作DDR SDRAM
這種改進(jìn)型的RAM和SDRAM是基本一樣的,不同之處在于它可以在一個(gè)時(shí)鐘讀寫兩次數(shù)據(jù),這樣就使得數(shù)據(jù)傳輸速度加倍了。這是目前電腦中用得最多的內(nèi)存。在很多高端的顯卡上,也配備了高速DDR RAM來提高帶寬,這可以大幅度提高3D加速卡的像素渲染能力。
2.2、SDRAM(Synchronous DRAM,同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)
即數(shù)據(jù)的讀寫需要時(shí)鐘來同步。
其存儲(chǔ)單元不是按線性排列的,是分頁(yè)的。
DRAM和SDRAM由于實(shí)現(xiàn)工藝問題,容量較SRAM大。但是讀寫速度不如SRAM。
一般的嵌入式產(chǎn)品里面的內(nèi)存都是用的SDRAM。
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外存分類:
U盤:
閃存它結(jié)合了ROM和RAM的長(zhǎng)處,不僅具備電子可擦除可編程(EEPROM)的性能,還不會(huì)斷電丟失數(shù)據(jù)同時(shí)可以快速讀取數(shù)據(jù)(NVRAM的優(yōu)勢(shì)),U盤和MP3里用的就是這種存儲(chǔ)器。采用的是FLASH高速存儲(chǔ)芯片,雖然USB2.0理論上的傳輸速度可以達(dá)到480M每秒,USB3.0更是達(dá)到了G每秒的速度。
硬盤:
PATA接口現(xiàn)能支持的最高速率是PATA-7,即133MB/s
SATA接口現(xiàn)能支持的最高速率是SATA III,即6Gbit/s,也就是750MB/S左右
SCSI接口現(xiàn)能支持的最高速率是Ultra 640 SCSI,即640MB/S左右
SAS接口現(xiàn)能支持的最高速率是SAS II,即6Gbit/s,也就是750MB/S左右
光盤:
理論上來說是一倍速150KB/s,10倍速也就是1.5M/s左右
軟盤:容量下轉(zhuǎn)速慢(300左右)這是眾所皆知的,
至于磁帶速度應(yīng)該是最慢的吧
所以目前的排序應(yīng)該是
U盤>硬盤>光盤>軟盤>磁帶
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總結(jié)
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