一、概述

由于制造上的困難,最初幾代的MOS工藝僅提供NMOS器件。實際上,許多早期的微處理器和模擬電路都是用NMOS工藝制造的,但是它們的功耗相當(dāng)大。盡管CMOS器件需要大量的掩模版和制造工序,CMOS邏輯的零靜態(tài)功耗仍促使了CMOS技術(shù)時代的到來。然而,在CMOS電路中會產(chǎn)生一個嚴(yán)重的問題(在NMOS實現(xiàn)中并不存在),這就是閂鎖效應(yīng)。

閂鎖效應(yīng)是CMOS工藝所特有的寄生效應(yīng)，嚴(yán)重會導(dǎo)致電路的失效，甚至燒毀芯片。

閂鎖效應(yīng)是由NMOS的有源區(qū)、P襯底、N阱、PMOS的有源區(qū)構(gòu)成的n-p-n-p結(jié)構(gòu)產(chǎn)生的，當(dāng)其中一個三極管正偏時，就會構(gòu)成正反饋形成閂鎖。避免閂鎖的方法就是要減小襯底和N阱的寄生電阻，使寄生的三極管不會處于正偏狀態(tài)。 靜電是一種看不見的破壞力，會對電子元器件產(chǎn)生影響。ESD 和相關(guān)的電壓瞬變都會引起閂鎖效應(yīng)（latch-up），是半導(dǎo)體器件失效的主要原因之一。如果有一個強電場施加在器件結(jié)構(gòu)中的氧化物薄膜上，則該氧化物薄膜就會因介質(zhì)擊穿而損壞。很細(xì)的金屬化跡線會由于大電流而損壞，并會由于浪涌電流造成的過熱而形成開路。這就是所謂的“閂鎖效應(yīng)”。在閂鎖情況下，器件在電源與地之間形成短路，造成大電流、EOS（電過載）和器件損壞。

參考：閂鎖效應(yīng)-Bidu
參考：GGNMOS（

總結(jié)

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