分立器件成品參數(shù)
平面高壓MOS
SVF28N50PN是N溝道增強(qiáng)型高壓功率MOS場效應(yīng)晶體管，采用士蘭微電子的F-CellTM平面高壓VDMOS工藝技術(shù)制造。先進(jìn)的工藝及條狀的原胞設(shè)計結(jié)構(gòu)，使得該產(chǎn)品具有較低的導(dǎo)通電阻，優(yōu)越的開關(guān)性能及很高的雪崩擊穿耐量。
該產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于AC-DC開關(guān)電源，DC-DC電源轉(zhuǎn)換器，高壓H橋PWM馬達(dá)驅(qū)動。

主要特點(diǎn)
? 28A，500V，RDS(on)(典型值)=0.15W@VGS=10V
? 低柵極電荷量
? 低反向傳輸電容
? 開關(guān)速度快
? 提升了dv/dt能力
? 100%雪崩測試
? 無鉛管腳鍍層
? 符合RoHS環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)
技術(shù)文檔

200A，650V IGBT模塊
SGM200HF6A1TFD模塊性能優(yōu)良，適用于不間斷電源，交流變頻驅(qū)動器，電焊機(jī)等。
主要特點(diǎn)
? 200A，650V，VCE(sat)(典型值) =1.60V@IC=200A
? VCE(sat)帶正溫度系數(shù)
? 高抗短路能力
? 低開關(guān)損耗
? 絕緣銅底板，采用DBC技術(shù)
產(chǎn)品規(guī)格分類

內(nèi)部框圖

技術(shù)文檔

封裝外形圖

SU0504A6G/SAG
SU0504A6G/SAG是四通道電壓軌鉗位型大電流瞬態(tài)電壓抑制器件，其每個通道都包含有一對ESD放電電流導(dǎo)向二極管，分別將正向和負(fù)向的靜電放電電流引導(dǎo)到正向鉗位電壓端和負(fù)向鉗位電壓端。另外，在該器件內(nèi)部，還集成了一個穩(wěn)壓管。一般在應(yīng)用時，SU0504A6G/SAG的負(fù)向鉗位端與被保護(hù)電路的地線相接，這樣，正向的放電電流通過內(nèi)置的穩(wěn)壓管流到地線，保護(hù)了被保護(hù)電路的電源端。
SU0504A6G/SAG適合USB2.0以及數(shù)據(jù)傳輸線的ESD保護(hù)。
主要特點(diǎn)
? 四通道ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)；
? 滿足IEC61000-4-2(ESD) ：±30KV（空氣放電）
±30KV（接觸放電）；
? 輸入端對地不大于5.0pF的超低電容結(jié)構(gòu)；
? I/O通道之間的電容不大于3.0pF；
? 很低的鉗位電壓；
? 較高的峰值電流；
? 可靠的硅器件雪崩擊穿結(jié)構(gòu)；
? SOT-23-6L/ SOP-8-225-1.27封裝外形；
? 5V的低工作電壓。
技術(shù)文檔

封裝外形圖

SFR20F60F2
超快速恢復(fù)二極管
SFR20F60F2是一款超快恢復(fù)二極管器件，采用了先進(jìn)的硅外延平面工藝制作，在工藝參數(shù)和圖形結(jié)構(gòu)上都進(jìn)行了精心的設(shè)計，使得該系列產(chǎn)品具有較低的正向壓降和超快的反向恢復(fù)時間。
精確的外延摻雜控制，先進(jìn)的平面結(jié)終端保護(hù)結(jié)構(gòu)以及鉑摻雜控制少子壽命保證了該產(chǎn)品具有最佳的綜合參數(shù)，很高的耐用性和可靠性指標(biāo)。
該產(chǎn)品可廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源，UPS以及PFC等領(lǐng)域。
主要特點(diǎn)
? 35ns的超快恢復(fù)時間
? 低的正向壓降
? 漏電流小
技術(shù)文檔

SJT0281NPN
NPN型硅三極管
SJT0281NPN NPN型低頻大功率管，采用士蘭微電子先進(jìn)的硅平面工藝制造，三重擴(kuò)散，超低密度晶體缺陷，聚酰亞胺鈍化，小于200微米的薄芯片等先進(jìn)技術(shù)的使用使得SJT0281NPN具有熱阻低，耗散功率大，可靠性好的特點(diǎn)。優(yōu)化的芯片結(jié)構(gòu)設(shè)計和封裝設(shè)計提升了器件的抗二次擊穿能力。
該產(chǎn)品主要應(yīng)用于家用電器，AV器材，專業(yè)音響設(shè)備，汽車音響等音頻功率放大器的功率輸出級，具有線性范圍寬，失真度低的特點(diǎn)。
SJT0281NPN三極管采用TO-3P封裝外形。
與SJT0281NPN配對的互補(bǔ)PNP管：SJT0302PPN。
主要特點(diǎn)
? 較高的擊穿電壓余量。
? 非常低的漏電電流。
? 高輸出功率：150W；
? 較高的二次擊穿耐量和可靠性。
技術(shù)文檔

封裝外形圖

肖特基二極管(SBD)
SBT20UL45AR6是采用Trench結(jié)構(gòu)制作而成的肖特基整流二極管，廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源，保護(hù)電路等各類電子線路中。
主要特點(diǎn)
? 高電流沖擊能力
? 低功耗，高效率
? 正向壓降低
技術(shù)文檔

參考鏈接：
http://www.sinyang.com.cn/product/6/

總結(jié)

以上是生活随笔為你收集整理的分立器件成品参数的全部內(nèi)容，希望文章能夠幫你解決所遇到的問題。

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